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东芝将采用最新工艺技术开发新型晶体管阵列系列

时间:2014-09-22 16:50:56  来源:上海经济新闻网  编辑:yuan4ren



通过采用DMOS FET [1]型输出驱动器来扩大高效晶体管阵列阵容

东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)今天宣布,该公司正在开发BiCD[2]晶体管阵列TB62xxxA系列,以取代其双极晶体管阵列TD62xxx系列。后者在一系列广泛的应用中使用,包括电机、继电器和LED驱动。新一代系列产品将搭载采用最新的BiCD工艺技术开发的DMOS FET型输出驱动器。样品出货和量产计划于2015年6月启动。

 

相比现有的双极晶体管阵列,新产品将提供更快的切换速度并减少输入电流,同时有助于提高功率效率。

 

东芝供应双极晶体管阵列的历史已逾40年,且目前中压(约50V)TD62xxx系列包含100多款装置。随着近来客户对金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)型阵列的需求超过双极阵列,东芝决定开始采用BiCD工艺技术开发晶体管阵列,这项技术有望成为未来的标准。

 

东芝已从本月开始进行产品开发,并将于2015年6月启动新系列首款产品TB62003A的样品出货和量产。TB62003A是现有TD62003A的升级版。随后,该公司计划每六个月推出TB62xxxA系列中的两款产品,累积将推出超过12款产品。

 

新系列的主要特性

 

  • 工艺技术:130nm BiCD(东芝的最新BiCD工艺技术)

 

  • 维持电压:50V,与现有的双极晶体管阵列相同

 

  • 封装:与现有双极晶体管阵列的封装相同,均采用同样的引脚分配

 

  • 输出电流:500mA(TB62003A:与现有产品相同)

 

  • 功能:与现有产品相同

 

  • 产品名称:“TB62xxxA系列”,由“TD62xxxA系列”变更而来(命名规则还将改变)

 

[1]:双扩散型金属氧化物半导体场效应晶体管
 

[2]:实现双极、CMOS和DMOS设备集成的工艺技术

 

客户垂询:


混合信号IC销售和营销部门
电话:+81-44-548-2821

 

本新闻稿中的信息,包括产品价格和规格、服务内容以及联系信息仅反映截至本新闻稿发布之日的情况,如有变动,恕不另行通知。

 

关于东芝

 

东芝公司是一家《财富》全球500强公司,致力于将其在先进电子和电气产品及系统方面的一流能力运用于五个战略业务领域:能源与基础设施、社区解决方案、医疗保健系统与服务、电子设备与组件,以及生活方式产品与服务。在东芝集团的基本承诺“为了人类和地球的明天”的指引下,东芝以“通过创造力和创新实现增长”为目标来推动全球业务,并致力于让全球各地的人们生活在一个安全、有保障和舒适的社会中。

 

东芝于1875年在东京成立,如今已成为一家有着590多家附属公司的环球企业,全球拥有超过200,000名员工,年销售额逾6.5万亿日元(630亿美元)。
 

更多信息请访问东芝网站:www.toshiba.co.jp/index.htm

 

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

 

联系方式:

 

媒体垂询:
东芝公司
半导体&存储产品公司
Chiaki Nagasawa, +81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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